svojstva proizvoda
TYPE
DESCRIBE
kategorija
Diskretni poluvodički proizvodi
Tranzistor – FET, MOSFET – pojedinačni
proizvođač
Infineon Technologies
serije
CoolGaN™
Paket
Traka i kolut (TR)
traka za smicanje (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Status proizvoda
prekinut
FET tip
N kanal
tehnologije
GaNFET (galijum nitrid)
Napon odvod-izvor (Vdss)
600V
Struja na 25°C – kontinuirani dren (Id)
31A (Tc)
Napon pogona (Max Rds On, Min Rds On)
-
Otpor na uključenje (max) na različitim Id, Vgs
-
Vgs(th) (maksimum) na različitim ID-ovima
1,6V @ 2,6mA
Vgs (maks.)
-10V
Ulazni kapacitet (Ciss) pri različitim Vds (max)
380pF @ 400V
FET funkcija
-
Rasipanje snage (maks.)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
tip instalacije
Vrsta montaže na površinu
Pakovanje uređaja dobavljača
PG-DSO-20-87
Paket/kućište
20-PowerSOIC (0,433″, širina 11,00 mm)
Osnovni broj proizvoda
IGOT60
Mediji i preuzimanja
VRSTA RESURSA
VEZA
Specifikacije
IGOT60R070D1
GaN vodič za odabir
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
Ostali povezani dokumenti
GaN u adapterima/punjačima
GaN u serveru i telekomu
Realnost i kvalifikacija CoolGaN-a
Zašto CoolGaN
GaN u bežičnom punjenju
video fajl
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT platforma za evaluaciju polu-mosta koja sadrži GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – nova paradigma snage
2500 W puna totemska PFC ploča za procjenu pomoću CoolGaN™ 600 V
HTML specifikacije
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
IGOT60R070D1
Životna sredina i klasifikacija izvoza
ATRIBUTI
DESCRIBE
RoHS status
U skladu sa ROHS3 specifikacijom
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
3 (168 sati)
REACH status
Proizvodi koji nisu REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
